MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。