MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。