由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。