晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？