當(dāng)需要進一步減小流入的電流和電磁場強度時,應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū),并按照需要保護的對象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。
本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZOB區(qū)更??;本區(qū)內(nèi)的電磁場強度可能衰減,這取決于屏蔽措施。
本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應(yīng)的雷電流直接雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。