本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各導體的電流比LPZOB區(qū)更??;本區(qū)內(nèi)的電磁場強度可能衰減,這取決于屏蔽措施。
本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應的雷電流直接雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。
本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導走全部雷電流,本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。