名詞解釋

答案：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目...

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答案：

是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)的一種方法。

答案：它表示由于柵極材料和襯底材料間的功函數(shù)差以及柵氧化層中固定正電荷的影響而引起的電壓偏移。