在半導(dǎo)體中加入微量的其他元素的原子，可以改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力和導(dǎo)電類型。
當(dāng)MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化，從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應(yīng)，如閾值電壓的變化。
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
芯片粘接的工藝過程包括（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
光刻工藝的特點包括（）。
影響封裝芯片特性的溫度有（）。