刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。