A.改變?chǔ)莲@得不同值的θB.固定α和f,改變晶片直徑DC.固定α和D,改變頻率fD.固定D,改變f·α值
A.雙晶直探頭和雙晶斜探頭從堆焊層側(cè)對(duì)堆焊層檢測(cè)B.單直探頭和單斜探頭從母材側(cè)對(duì)堆焊層檢測(cè)C.堆焊層試塊的母材厚度至少應(yīng)為堆焊層厚度的2倍D.雙晶直探頭檢測(cè)時(shí),隔聲層應(yīng)垂直于堆焊方向,并垂直于堆焊方向掃查
A.應(yīng)采用直射波檢測(cè)靠探頭側(cè)焊縫邊未熔合B.掃查靈敏度相同均按表30規(guī)定不低于評(píng)定線靈敏度C.測(cè)量指示長(zhǎng)度為8mm 的缺陷按5mm 計(jì)D.探頭的探測(cè)移動(dòng)區(qū)長(zhǎng)度≥3KT (K-探頭K 值,T-管材板厚)