刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲(chǔ)信息的。

軟件堆棧在工作中（）移動(dòng)。

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。

已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。