單項(xiàng)選擇題

與真空蒸發(fā)相比，濺射薄膜的臺(tái)階覆蓋性好，關(guān)鍵在于（）。

A.濺射工藝重復(fù)性好
B.濺射角度大
C.濺射工藝復(fù)雜
D.濺射原子遷移能力強(qiáng)

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單項(xiàng)選擇題

?以下不屬于真空蒸發(fā)的局限性的是（）。

A.生長機(jī)理簡單
B.工藝重復(fù)性
C.臺(tái)階覆蓋能力差
D.薄膜與襯底附著力小

單項(xiàng)選擇題

以下不屬于電子束加熱的優(yōu)點(diǎn)的是（）。

A.蒸發(fā)溫度高
B.工藝設(shè)備簡單
C.熱效率高
D.高純度淀積

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