單項(xiàng)選擇題

不論正膠或負(fù)膠，光刻過(guò)程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅(jiān)膜
以下選項(xiàng)排列正確的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

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單項(xiàng)選擇題

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。

A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無(wú)定形二氧化硅

再分布

答案：將由預(yù)淀積引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，在較高溫度下進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的同時(shí)也往往進(jìn)行氧化。再分布的目的是為了控制表面濃度和擴(kuò)散深度...