A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個(gè)數(shù)
D.輸入端數(shù)
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A.互為反函數(shù)
B.互為對(duì)偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
最新試題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。