單項(xiàng)選擇題CMOS精密單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)時(shí)間tw為（）。
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
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1.單項(xiàng)選擇題TTL集成單穩(wěn)態(tài)電路的暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間tw為（）。
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
2.單項(xiàng)選擇題TTL與非門構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)電路中，其定時(shí)元件R應(yīng)滿足（）條件。
A.≤2KΩ
B.≥2KΩ
C.≤700Ω
D.≥700Ω
最新試題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)柎痤}
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
題型：?jiǎn)柎痤}