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用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
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單項選擇題
半導體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān),同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電阻率()
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
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