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半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān),同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電阻率()
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
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