A.提高整流裝置的功率因數(shù)
B.減小電源容量
C.減少高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響
D.降低晶閘管所承受的最大電壓
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A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會(huì)損害器件
A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)
A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓
A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快
A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路
最新試題
碼制即編碼體制，在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個(gè)電路具有自起功能。
電壓比較器的功能是，將一個(gè)模擬量輸入電壓，與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較，并將比較的結(jié)果輸出，它廣泛應(yīng)用于（）等方面。
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器，而其它各位觸發(fā)器都是，依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖，采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。
集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。