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多項(xiàng)選擇題

使用功率MOSFET時(shí)要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過(guò)電壓保護(hù)

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多項(xiàng)選擇題

功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求是（）。

A.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前后沿陡峭
B.驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓應(yīng)高于開(kāi)啟電壓
C.信號(hào)電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時(shí)應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

多項(xiàng)選擇題

LEM模塊是快速過(guò)電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快

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