單項(xiàng)選擇題

用于太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體的材料三種形式中晶粒之間存在邊界的是（）。

A.多晶體
B.單晶體
C.非晶體
D.以上都是

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單項(xiàng)選擇題

在硅片的拋光過(guò)程中，下列因素中不是影響粗拋的主要因素是（）。

A.粗拋液的濃度
B.粗拋時(shí)間
C.溶液的密度
D.溶液的溫度

單項(xiàng)選擇題

常溫下本征半導(dǎo)體硅的禁帶寬度為（）eV。

A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92

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