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單項(xiàng)選擇題

常溫下本征半導(dǎo)體硅的禁帶寬度為（）eV。

A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92

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單項(xiàng)選擇題

按照能帶結(jié)構(gòu)理論，本征半導(dǎo)體的能帶可以分為（）個(gè)。

A.1
B.2
C.3
D.4

單項(xiàng)選擇題

一般情況下，P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)（）N型半導(dǎo)體的能級(jí)。

A.高于
B.小于
C.等于
D.無(wú)法確定