A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
A、產(chǎn)生射線照相底片對(duì)比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
A、平放
B、直立
C、堆放
D、任意放置
最新試題
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
各類渦流檢測(cè)儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。