A、θ＝57λ/D
B、θ＝57λ/b
C、θ＝57λ/a
D、B和C都對(duì)
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A、指向性
B、近場(chǎng)區(qū)
C、振速
D、入射
A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
A、tp=1＋rp
B、R=rp2
C、D=1－rp2
D、以上都不對(duì)
A、（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）
B、2Z2/（Z1＋Z2）
C、4Z1×Z2/（Z1＋Z2）2
D、[（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）]2
最新試題
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同，渦流檢測(cè)儀器一般可分為（）、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的（）
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測(cè)量方法。
（）件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求，采用的方式各有不同。
對(duì)于圓盤(pán)形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。
在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
掃查方式一般視試件的（）而定。