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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】焰熔法優(yōu)點(diǎn)
答案：
①此方法生長(zhǎng)單晶體不需要坩堝，因此既節(jié)約了做坩堝的耐高溫材料，又避免坩堝造成的污染；②氫氧焰燃燒溫度可達(dá)2800℃，可生...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】助溶劑法晶體生長(zhǎng)的特點(diǎn)
答案：
①三維成核要求的過(guò)飽和度一般都比較大，晶體生長(zhǎng)階段所需要的過(guò)飽和度也比較高；②晶體生長(zhǎng)階段一般遵從螺旋位錯(cuò)生長(zhǎng)機(jī)制，或通...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】提拉法主要優(yōu)點(diǎn)
答案：
①在生長(zhǎng)過(guò)程中，可以方便的觀察晶體的生長(zhǎng)狀況；②晶體在熔體的自由表面處生長(zhǎng)，而不與坩堝相接觸，可顯著減小晶體的應(yīng)力并防止...
