問答題

【簡答題】助溶劑法晶體生長的特點(diǎn)

答案: ①三維成核要求的過飽和度一般都比較大,晶體生長階段所需要的過飽和度也比較高;②晶體生長階段一般遵從螺旋位錯生長機(jī)制,或通...
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【簡答題】提拉法主要優(yōu)點(diǎn)

答案: ①在生長過程中,可以方便的觀察晶體的生長狀況;②晶體在熔體的自由表面處生長,而不與坩堝相接觸,可顯著減小晶體的應(yīng)力并防止...
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【簡答題】溶體生長理想材料

答案:

那些沒有破壞性相變,又有較低的蒸氣壓或離解壓的同成分熔化的化合物。

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