多項(xiàng)選擇題VCM裝置中，氧氯化反應(yīng)器HCl選擇性越高，則（）

A.生成副產(chǎn)物越少
B.產(chǎn)品純度越高
C.有利于降低單體單耗
D.反應(yīng)器安全系統(tǒng)越高


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題VCM裝置中，EDC精餾單元EDC收率越高，則VCM單體（）

A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.氫氣單耗越低

2.多項(xiàng)選擇題VCM裝置中，EDC裂解率越高，則VCM單體（）

A.乙烯單耗越高
B.氯氣單耗越低
C.蒸汽單耗越低
D.電單耗越低

3.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，HCl加氫反應(yīng)器乙炔轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）

A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.氧氣單耗越低

4.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，氧氯化反應(yīng)器HCl轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）

A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.H2單耗越低

5.多項(xiàng)選擇題在EDC裂解爐爐管進(jìn)行吹掃時(shí)，可用介質(zhì)錯(cuò)誤的是（）

A.蒸汽
B.二氯乙烷
C.VCM
D.氮?dú)?/p>