多項(xiàng)選擇題VCM裝置中，EDC裂解率越高，則VCM單體（）
A.乙烯單耗越高
B.氯氣單耗越低
C.蒸汽單耗越低
D.電單耗越低
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1.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，HCl加氫反應(yīng)器乙炔轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）
A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.氧氣單耗越低
2.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，氧氯化反應(yīng)器HCl轉(zhuǎn)化率越高，則VCM單體（）
A.乙烯單耗越低
B.氯氣單耗越低
C.燒堿單耗越低
D.H2單耗越低
3.多項(xiàng)選擇題在EDC裂解爐爐管進(jìn)行吹掃時(shí)，可用介質(zhì)錯(cuò)誤的是（）
A.蒸汽
B.二氯乙烷
C.VCM
D.氮?dú)?/p>
4.多項(xiàng)選擇題在氧氯化平衡法VCM裝置中，用于處理三廢的裝置有（）
A.廢水汽提塔
B.氧氯化反應(yīng)器
C.焚燒爐
D.冷火炬
5.多項(xiàng)選擇題在平衡氧氯化法VCM裝置中，廢液和廢氣焚燒后，生成（）
A.C2H4
B.CO2
C.HCl
D.H2O
最新試題
在VCM裝置中，VCM產(chǎn)品罐出現(xiàn)超壓，危害有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化反應(yīng)器出口夾帶催化劑時(shí)，下面原因分析正確的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化反應(yīng)器換熱蛇管泄漏，可能的原因是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
泡罩塔塔盤在安裝時(shí)，應(yīng)注意（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響流化床流化態(tài)的重要因素有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
EDC裂解爐爐管震動(dòng)的原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面對(duì)EDC裂解爐爐管震動(dòng)處理正確的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氯乙烯裝置安全閥在打完壓后，存放時(shí)應(yīng)注意（）
題型：多項(xiàng)選擇題
氧氯化法生產(chǎn)VCM單體時(shí)，含乙炔超標(biāo)，主要原因是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在VCM裝置中焚燒爐超溫，危害有（）
題型：多項(xiàng)選擇題