下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的設備核心是（）。