芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。