光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。