問答題

【簡答題】簡述干法刻蝕的應(yīng)用

答案: 介質(zhì)——氧化物和氮化硅
硅——多晶硅柵和單晶硅槽
金...
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答案: 負(fù)載效應(yīng):要刻蝕硅片表面的大面積區(qū)域,則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來;如果刻蝕的面積比較小,則刻蝕會快些
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【簡答題】簡述刻蝕的概念及其基本目的

答案: 概念:用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程
基本目的:在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形&e...
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