在一本征硅中，摻入施主雜質(zhì)，其濃度N_D=2×10¹⁴cm^-3。 
（1）求室溫300K時自由電子和空穴的熱平衡濃度值，并說明半導(dǎo)體為P型或N型。 
（2 ）若再摻入受主雜質(zhì)，其濃度N_A=3×10¹⁴cm^-3，重復(fù)（1）。 
（3）若N_D=N_A=10¹⁵cm^-3，重復(fù)（1）。 
（4）若N_D=10¹⁶cm^-3，N_A=10¹⁴cm^-3，重復(fù)（1）。