從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱(chēng)為（）

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。

硬件堆棧是由CPU內(nèi)部的一組串聯(lián)的（）組成的。

將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無(wú)法確定是否正確。（4）使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號(hào)位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位，或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來(lái)判斷。