例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

描述化學機械平坦化工藝。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？