問答題

【案例分析題】

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng),其他環(huán)?;A(chǔ)設(shè)施也較完善,目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m3/d,實(shí)際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L,其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB8978-1996)表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)(氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L)。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材,經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知,擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池,中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠,廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%,為降低廢水中氨的濃度,擬采取熱交換吹脫法除氨,氨的吹脫效率80%,吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?!稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》(GB14554-93)中規(guī)定:15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

列出摻雜工序和化學(xué)鍍廢水預(yù)處理生產(chǎn)的污泥處置要求。

答案: 根據(jù)擬建項(xiàng)目生產(chǎn)工藝,并參照《國(guó)家危險(xiǎn)廢物名錄(2008年本)》,可知摻雜工序和化學(xué)鍍廢水預(yù)處理產(chǎn)生的污泥屬于危險(xiǎn)廢物:...
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【案例分析題】

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng),其他環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施也較完善,目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m3/d,實(shí)際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L,其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB8978-1996)表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)(氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L)。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材,經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知,擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池,中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠,廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%,為降低廢水中氨的濃度,擬采取熱交換吹脫法除氨,氨的吹脫效率80%,吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?!稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》(GB14554-93)中規(guī)定:15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

根據(jù)項(xiàng)目廢水預(yù)處理方案,判斷電子元器件公司廢水能否納入開發(fā)區(qū)污水處理廠?并說明理由。

答案: 電子元器件公司廢水不能納入園區(qū)污水處理廠。原因主要有兩個(gè):
(1)尾氣清洗塔廢水處理設(shè)施排放口(總砷)第一類...
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【案例分析題】

順達(dá)公司擬在本省某開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)一座電子元器件廠。該省級(jí)開發(fā)區(qū)有集中的污水處理廠和供熱系統(tǒng),其他環(huán)?;A(chǔ)設(shè)施也較完善,目前開發(fā)區(qū)污水處理廠的設(shè)計(jì)處理能力為10萬m3/d,實(shí)際處理能力為6.5萬m3/d。污水處理廠接管水質(zhì)要求為COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L,其他水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)當(dāng)滿足《污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB8978-1996)表1及表4三級(jí)排放標(biāo)準(zhǔn)(氟化物20mg/L、總銅2.0mg/L、總砷0.5mg/L)。電子元器件生產(chǎn)以硅片為基材,經(jīng)氨水清洗、氫氟酸或硫酸蝕刻砷化氫摻雜、硫酸銅化學(xué)鍍等工序得到最終產(chǎn)品。其中摻雜工序和化學(xué)鍍工序流程如圖1所示。經(jīng)過工程分析可知,擬建項(xiàng)目在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的清洗廢水、蝕刻廢水、尾氣洗滌塔廢水、化學(xué)鍍廢水將經(jīng)過預(yù)處理后進(jìn)入中和池,中和池出水排入開發(fā)區(qū)污水處理廠,廢水預(yù)處理后的情況參見表1。氨水清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水中含氨量為0.02%,為降低廢水中氨的濃度,擬采取熱交換吹脫法除氨,氨的吹脫效率80%,吹脫出的氨經(jīng)15m高排氣筒排放?!稅撼粑廴疚锱欧艠?biāo)準(zhǔn)》(GB14554-93)中規(guī)定:15m高排氣筒氨排放量限值為4.9kg/h。

給出摻雜工序和化學(xué)鍍廢水、廢氣的特征污染因子。

答案: 摻雜工序和化學(xué)鍍廢水的污染特征因子包括:
總砷、總銅、氟化物、銨離子等。摻雜工序和化學(xué)鍍廢氣的污染特征因子包括...
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