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A.靶溫升高，臨界劑量上升
B.注入離子越輕，臨界劑量越小
C.注入離子劑量率增大，臨界劑量降低
D.注入離子能量越高，臨界劑量越低

A.在本征硅上擴散摻入中等濃度的雜質(zhì)硼
B.在重摻雜p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)
C.在中等濃度p型硅上擴散摻入n型雜質(zhì)
D.在本征硅上擴散摻入高濃度的雜質(zhì)硼，同時進行氧化