解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

什么是結(jié)深？