鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）