直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列是晶體的是（）。 

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。