單項(xiàng)選擇題如鉭電容引線有熔接點(diǎn)，彎曲點(diǎn)不允許在熔接點(diǎn)和元器件之間，熔接點(diǎn)到彎曲點(diǎn)之間應(yīng)保留（）距離合適。
A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm
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1.單項(xiàng)選擇題元器件引線經(jīng)過(guò)彎曲成形，表面鍍層剝落不應(yīng)大于引線直徑的（）。
A.1/10
B.1/5
C.1/3
D.1/2
2.單項(xiàng)選擇題搪錫高度距元器件引線根部大約是（）。
A.1mm
B.2mm
C.3mm
D.4mm
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在晶體管圖示儀中的集電極掃描電壓發(fā)生器輸出的信號(hào)為（）。
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一個(gè)二進(jìn)制表達(dá)式：（101011）2=1×25+0×24+1×23+0×22+1×21+1×20，其中25項(xiàng)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
覆銅板的非電技術(shù)指標(biāo)主要有（）四項(xiàng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題