試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。