半導體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。