版圖設計的基本前提是什么？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。