判斷題高阻襯底材料上生長(zhǎng)低阻外延層的工藝稱為正向外延。
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最新試題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
集成電路電阻可以通過(guò)()產(chǎn)生。
題型:多項(xiàng)選擇題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}