硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。