硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

集成電容主要有幾種結構？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

版圖設計的基本前提是什么？