下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。