消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）