光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）