光刻工藝的特點包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。