刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）